Characteristics of AC breakdown voltage of high-voltage ceramic condensers.

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

degradation of oil impregnated paper insulation under influence of repetitive fast high voltage impulses

در طی سالهای اخیراستفاده ازمنابع انرژی تجدید پذیر در شبکه های مدرن بنا به دلایل زیست محیطی و اقتصادی به طور گسترده استفاده شده است همچون نیروگاههای بادی و خورشیدی .ولتاژتولیدی این نیروگاهها اغلب به فرم dc می باشد وادوات الکترونیک قدرت به عنوان مبدل و پل بین شکل موج dc وac استفاده می شوند.این پروسه باعث ایجاد پالسهایی برروی شکل موج خروجی می شود که می تواند وارد تجهیزات قدرت همچون ترانسفورماتور ی...

15 صفحه اول

Breakdown Voltage of High-voltage GaN FETs

GaN FETs offer superior advantages in high-voltage and high-temperature operation due to its large bandgap (3.4 eV) and high breakdown field strength (3.3 MV/cm). This combination of the large bandgap and high breakdown field makes these devices very attractive for power switching applications. In this regard, a key figure of merit is the breakdown voltage of the transistor, which must be high ...

متن کامل

AC-DC Difference Characteristics of High- Voltage Thermal Converters

This paper describes a study of high-voltage thermal converters (HVTC's) at voltages above 100 V at frequencies up to 100 kHz. Techniques for the construction of HVTC's are described, and the effects of aging and dielectric loss on the resistor, changes in the timing sequence of ac-dc difference tests, relay dead-times, warmup times, and voltage level dependence are given.

متن کامل

Evaluation of capacitance-voltage characteristics for high voltage SiC-JFET

Capacitance between terminals of a power semiconductor device substantially affects on its switching operation. This paper presents a capacitance–voltage (C–V) characterization system for measuring high voltage SiC–JFET and the results. The C–V characterization system enables one to impose high drain-source voltage to the device and extracts the capacitance between two of three terminals in FET...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials

سال: 1989

ISSN: 0385-4205,1347-5533

DOI: 10.1541/ieejfms1972.109.157